型号：FDC2612-VB
丝印：VB7202M
品牌：VBsemi
参数：
- 封装类型：SOT23-6
- 沟道类型：N—Channel
- 最大漏电压（Vds）：200V
- 最大漏极电流（Id）：4A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：160mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：3V

封装：SOT23-6

应用简介：
FDC2612-VB是一款N-Channel沟道MOSFET，适用于多种电路和模块设计，特别是在需要高耐压和高性能N-Channel MOSFET的应用中。

领域模块应用：
1. **电源模块：** 适用于高压电源模块设计，如开关电源、电源逆变器等，能够提供高效的电能转换和稳定的电源输出。

2. **电机驱动模块：** 由于其高电流和高耐压特性，可用于电机驱动和控制模块，提供可靠的电流输出和驱动性能，尤其在需要较高耐压的应用中。

3. **电池保护模块：** 用于电池充放电管理电路，提供高效的电池管理和保护功能。

4. **高压LED照明模块：** 在需要高亮度和高功率的LED照明系统中，FDC2612-VB可以用于开关电源设计，以实现高效的LED照明。

5. **高耐压电路：** 适用于需要高耐压特性的电路设计，如电源滤波器、电源开关等。

请注意，以上是一些典型的高耐压应用场景，实际使用时需根据具体电路和系统要求进行选择和设计。在集成FDC2612-VB时，建议仔细阅读其数据手册以获取详细的电特性和操作信息。