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DTM4946-VB一个2个N沟道SOP8封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号: DTM4946-VB
丝印: VBA3638
品牌: VBsemi

详细参数说明:
- 沟道类型: 2个N沟道
- 额定电压: 60V
- 最大电流: 6A
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 27mΩ @ 10V
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 32mΩ @ 4.5V
- 门源电压 (Vgs): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 1.5V
- 封装类型: SOP8

应用简介:
DTM4946-VB是一款双N沟道场效应晶体管,具有高电压容忍能力和低导通电阻,适用于多种电子领域的模块和电路。以下是该产品的一些主要应用领域:

1. **电源开关**: DTM4946-VB可用于电源开关电路,控制电路的通断状态,用于电源管理和功率控制。

2. **电池保护**: 在电池保护电路中,该晶体管可用于充电和放电控制,确保电池的安全和性能。

3. **电流控制**: 由于其低导通电阻和高电流容忍能力,它可用作电流控制器,用于电机控制器、电流放大器和电流源。

4. **信号开关**: DTM4946-VB适用于信号开关电路,用于信号选择和切换,同时支持高电压应用。

5. **电路保护**: 它可以用于电路保护,包括过电流保护、过压保护和反向电流保护。

6. **功率放大**: 该晶体管可用于功率放大器电路,提供放大信号的功能,并支持高电压应用。

7. **电压逆变**: 在电压逆变器电路中,DTM4946-VB可用于将直流电压转换为交流电压,适用于逆变器和UPS系统。

总之,DTM4946-VB适用于多种应用,包括电源开关、电池保护、电流控制、信号开关、电路保护、功率放大和电压逆变等领域。其双N沟道设计、高电压容忍能力和SOP8封装使其成为广泛应用的元器件,特别适用于高电压和功率控制等要求较高的应用。

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