型号：CES2305-VB
丝印：VB2290
品牌：VBsemi
参数：
- 封装类型：SOT23
- 沟道类型：P—Channel
- 最大漏电压（Vds）：-20V
- 最大漏极电流（Id）：-4A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压（Vth）：-0.81V

封装：SOT23

应用简介：
CES2305-VB是一款P-Channel沟道MOSFET，适用于多种电路和模块设计，特别是在需要P-Channel MOSFET的低功耗和小型化应用中。

领域模块应用：
1. **电源管理模块：** 适用于电源管理电路，例如低功耗开关电源、便携式电源等，以实现高效的功率转换和能量管理。

2. **电池保护模块：** 用于电池充放电管理电路，提供高效的电池管理和保护功能。

3. **信号开关模块：** 在一些需要模拟开关功能的电路设计中，如信号开关、模拟开关电源等。

4. **小型化设备：** 由于其小型封装和低功耗特性，适用于小型化设备设计，如便携式电子设备、传感器节点等。

5. **模拟电路：** 在一些需要P-Channel MOSFET的模拟电路中，CES2305-VB可用于实现高性能的模拟信号处理。

请注意，以上是一些典型的应用场景，实际使用时需根据具体电路和系统要求进行选择和设计。在集成CES2305-VB时，建议仔细阅读其数据手册以获取详细的电特性和操作信息。