型号: CEA6426-VB
丝印: VBI1695
品牌: VBsemi

**详细参数说明：**
- 通道类型: N沟道
- 额定电压: 60V
- 最大持续电流: 5A
- 导通电阻 (RDS(ON)): 76mΩ @ 10V, 88mΩ @ 4.5V, 20Vgs
- 阈值电压 (Vth): 1V 至 3V
- 封装类型: SOT89-3

**应用简介：**

CEA6426-VB是一款N沟道MOSFET晶体管，具有较高的额定电压和适度的导通电阻，适用于多种应用领域。以下是该产品在不同领域模块上的应用：

1. **电源管理模块**：
CEA6426-VB的较高额定电压和能够承受适度电流的特性使其成为电源管理模块的良好选择。它可用于开关电源、稳压器和电源开关，以确保电路的稳定供电。

2. **电机驱动模块**：
在电机控制应用中，这款MOSFET晶体管可用于电机驱动模块，用于控制电机的速度、方向和停止。其能够处理适度电流的特性使其适用于小型电机驱动。

3. **LED驱动**：
CEA6426-VB可用于LED驱动模块，用于控制LED灯的亮度和颜色。其低导通电阻有助于减小功率损耗，提供高效的LED照明解决方案。

4. **电池管理模块**：
该晶体管可用于电池管理和保护模块，用于控制电池充电和放电的开关，确保电池的安全和延长寿命。

5. **电子开关**：
CEA6426-VB可用于各种电子开关应用，如电子锁、继电器、开关电路和电子