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BUK9635-55A-VB一个N沟道TO263封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:BUK9635-55A-VB
丝印:VBL1632
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:60V
- 额定电流:40A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):23mΩ @ 10V, 27mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):1.9V
- 封装类型:TO263

应用简介:
BUK9635-55A-VB是一款N沟道场效应晶体管(FET),具有高额定电流和额定电压特性。它的低导通电阻使其适用于高功率电子应用,TO263封装适合各种电路设计。

应用领域:
1. 电源开关模块:BUK9635-55A-VB可用于电源开关电路,如开关稳压器、DC-DC转换器和功率放大器,以实现高效的电能转换和稳定的电源输出。

2. 电机控制:在电机驱动电路、电机控制器和电动汽车中,这款晶体管可用于电机的启停、速度调节和效能提升。

3. 高功率放大器:在音频放大器和射频(RF)功率放大器中,BUK9635-55A-VB可用于实现高功率输出和信号放大。

4. 电池管理:在电池供电系统、充电设备和便携式电子设备中,这款晶体管可用于电池保护和电池充电/放电控制。

总之,BUK9635-55A-VB是一款适用于高功率电子应用的N沟道场效应晶体管,适用于电源管理、电机控制、高功率放大器和电池管理等领域。其TO263封装使其适用于各种电路设计。

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