型号: BSS169-VB
丝印: VB1102M
品牌: VBsemi

**详细参数说明：**
- 通道类型: N沟道
- 额定电压: 100V
- 最大持续电流: 2A
- 导通电阻 (RDS(ON)): 246mΩ @ 10V, 260mΩ @ 4.5V, 20Vgs
- 阈值电压 (Vth): 2V
- 封装类型: SOT23

**应用简介：**

BSS169-VB是一款N沟道MOSFET晶体管，具有较高的电压承受能力和低导通电阻，适用于多种应用领域。以下是该产品在不同领域模块上的应用：

1. **电源管理模块**：
BSS169-VB的高电压承受能力和低导通电阻使其成为电源管理模块的理想选择。它可以用于电源开关、过压保护和电池管理，确保电路的高效性和可靠性。

2. **LED驱动模块**：
在LED照明应用中，BSS169-VB可用于控制LED驱动电路的开关。其低导通电阻有助于减小功率损耗，同时提供可靠的亮度控制。

3. **电机驱动模块**：
由于其较高的电压承受能力和低导通电阻，BSS169-VB适用于电机驱动模块，用于控制电机的启停和速度调节。

4. **通信设备**：
该MOSFET晶体管可用于通信设备中的电路开关，例如信号放大器、射频模块和天线开关。

5. **汽车电子**：
在汽车电子领域，BSS169-VB可以用于车辆的电源管理、照明控制、电机驱动以及其他电子模块中。

总之，BSS169-VB适用于需要高性能和可靠性的应用，如电源管理、LED照明、电机驱动、通信设备和汽车电子等领域的模块。其参数使其成为各种电子设备中的理想选择，以确保高效、可靠和稳定的运行。