型号：BSL308PE-VB
丝印：VB4290
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：2个P沟道
- 额定电压：-20V
- 最大持续电流：-4A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：75mΩ @ 4.5V, 100mΩ @ 2.5V, 12Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth)：-1.2~-2.2V
- 封装：SOT23-6

详细参数说明：
BSL308PE-VB 是一款具有两个 P 沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有-20V 的额定电压和最大持续电流为-4A。每个 P 沟道 MOSFET 的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 75mΩ @ 4.5V 和 100mΩ @ 2.5V。阈值电压 (Vth) 的范围为-1.2V 到-2.2V。

应用简介：
BSL308PE-VB 常用于电源管理、电源开关和电源转换器应用中，特别适用于需要 P 沟道 MOSFET 的电路。由于其双 P 沟道特性，它适用于反相开关和负电源电路。SOT23-6 封装使其易于集成到小型电子设备中。这种型号的 MOSFET 可以在各种领域的模块中使用，如电源逆变器、电源开关、电池保护电路、移动设备、电源管理、电源放大器、电动工具和其他需要高性能 MOSFET 的低至中功率应用。其低导通电阻和高电流承受能力使其在高效率、低功耗应用中非常有用。