型号：AP6679GM-VB
丝印：VBA2309
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：P沟道
- 额定电压：-30V
- 最大连续电流：-11A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：-1.5V
- 封装类型：SOP8

应用简介：
AP6679GM-VB是一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于负电压电源开关和电路中的功率开关应用。以下是一些可能的应用领域：

1. 电源开关：P沟道MOSFET通常用于负电压电源开关，可以用于反向电源保护，例如电池电源开关和电源逆变器。

2. DC-DC转换器：它可以用于直流到直流（DC-DC）转换器中，将电压降低或升高，以适应特定电子设备的需求。

3. 负电压电路：适用于负电压电路中，如负电压电源管理、电压反转器和负电压逆变器。

4. 电池保护：P沟道MOSFET可以用于电池电路中，以实现电池的充电和保护功能。

5. 负电压电源控制：适用于负电压电源控制，如负电压直流电源控制、电源切断等。

总之，AP6679GM-VB MOSFET适用于需要P沟道MOSFET的负电压电源开关和负电压电路中的应用。这种组件有助于实现负电压电源的控制和保护，适用于各种模块和电路，以满足不同负电压电源需求。