型号：AP6679GH-HF-VB
丝印：VBE2309
品牌：VBsemi
参数说明：
- 沟道类型：P沟道
- 额定电压：-30V
- 最大电流：-60A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：9mΩ@10V, 12mΩ@4.5V
- 门源极电压（±Vgs）：20V
- 门源极阈值电压（Vth）：-1.71V
- 封装类型：TO252

应用简介：
AP6679GH-HF-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有负向电压承受能力和低漏极-源极电阻。这些特性使其在多种电子领域的模块中有广泛的应用。

应用领域：
1. 电源模块：AP6679GH-HF-VB可用于电源开关模块，以提供高效的电源开关功能和电压调节，适用于各种电子设备和电源系统。

2. 电流控制：在电流控制模块中，它可以用于电流开关和控制，适用于电机控制、电源管理和电流保护。

3. 放大和信号切换：在放大和信号切换模块中，AP6679GH-HF-VB可用于信号放大和开关功能，适用于音频放大器、通信接口和传感器接口等应用。

4. 逆变器：它还可以用于逆变器电路，将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、电动汽车逆变器和UPS系统。

总之，AP6679GH-HF-VB是一种多功能的P沟道MOSFET，适用于多个领域的电子模块，提供电源管理、电流控制、信号放大和逆变功能。