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AOD603A-VB一个N+P沟道TO252-4L封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:AOD603A-VB
丝印:VBE5638
品牌:VBsemi

**参数:**
- 封装:TO252-4
- 沟道类型:N+P—Channel
- 最大电压:±60V
- 最大电流:35A(正向) / 18A(反向)
- 开启电阻(RDS(ON)):38mΩ @ VGS=10V, 58mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压(Vth):±1~3V

**应用简介:**
AOD603A-VB是一款TO252-4封装的N+P沟道MOSFET,适用于多种应用场景。其参数和特性使其在以下领域模块中得到广泛应用:

1. **电源模块:** 由于AOD603A-VB具有较高的最大电压和电流能力,可用于电源开关模块,提供稳定的电源输出。

2. **驱动模块:** 适用于电机驱动和其他需要高电流、高电压开关的应用。

3. **电源逆变器:** 用于太阳能逆变器、电动汽车逆变器等领域,支持高效率的电能转换。

4. **开关电源:** 在各种开关电源中,AOD603A-VB可用于构建高性能的DC-DC转换器。

5. **电源管理模块:** 由于其优越的电性能,可用于各种电源管理电路,如过压保护、过流保护等。

请注意,具体的应用领域取决于项目的具体要求和设计。在使用这种器件时,请务必参考其数据手册以获取详细的电性能和工作条件。

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