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AO8801-VB一个2个P沟道TSSOP8封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
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型号:AO8801-VB
丝印:VBC6P3033
品牌:VBsemi
参数:
- 2个P沟道
- 最大耐压:-30V
- 最大漏电流:-5.2A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):33mΩ @ 10V, 40mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):1V to 3V
- 封装:TSSOP8

应用简介:
AO8801-VB包含2个P沟道场效应晶体管,适用于中功率电子应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性,适合用于多种电子系统,特别是需要控制两个P沟道的应用。

领域模块应用:
1. DC-DC转换器模块:AO8801-VB可用于DC-DC电源转换器,以提供有效的电能转换。
2. 电机控制模块:在电机控制和驱动电路中,特别是需要控制两个P沟道的应用,它能够提供所需的电流和效率。
3. 电源管理模块:适用于中功率电源管理模块,如逆变器和电源开关控制器。

这些特性使AO8801-VB在多种中功率电子应用中有广泛的应用。

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