型号：AO6801A-VB

丝印：VB4290

品牌：VBsemi

封装：SOT23-6

**详细参数说明：**
- **沟道类型（Channel Type）：** 2个P—Channel
- **最大漏电流（Maximum Drain Current）：** -4A
- **最大漏电压（Maximum Drain-Source Voltage）：** -20V
- **导通电阻（On-Resistance）：** RDS(ON)=75mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- **阈值电压（Gate Threshold Voltage）：** Vth=-1.2~-2.2V

**应用简介：**
AO6801A-VB是一款双P—Channel沟道场效应晶体管，具有低漏电流、低漏电压、较低导通电阻等特性。采用SOT23-6标准封装，适用于多种电子应用。

**主要应用领域模块：**
1. **电源开关模块：** 适用于电源开关模块，特别是在负载开关和低功耗电子设备中表现出色。

2. **电池保护模块：** 由于其低漏电流和低导通电阻，可用于电池保护电路，提供对电池的有效保护。

3. **低噪声放大器模块：** 在低噪声放大器模块中具有潜在的应用，适用于对信噪比要求较高的场合。

4. **电流控制模块：** 由于其适中的漏电流和导通电阻，可用于电流控制模块，确保对负载电流的精准控制。

**使用注意事项：**
- 请按照厂家提供的规格书和应用指南使用，并确保工作条件在组件的规定范围内。
- 确保电路设计合理，以防过电流、过电压等情况对器件造成损害。
- 注意适当的散热设计，特别是在高功率应用中，以确保器件在正常工作温度范围内。
- 遵循焊接和封装的相关标准，确保器件与电路板的可靠连接。