型号:AO4614-VB
丝印:VBA5325
品牌:VBsemi
参数说明:
- N+P沟道
- 额定电压:±30V
- 最大电流:9A (N沟道), -6A (P沟道)
- 静态导通电阻(RDS(ON)):15mΩ@10V (N沟道), 42mΩ@10V (P沟道), 19mΩ@4.5V (N沟道), 50mΩ@4.5V (P沟道), 20Vgs(±V)
- 阈值电压(Vth):±1.65V
- 封装类型:SOP8
应用简介:
AO4614-VB是一款N+P沟道MOSFET晶体管,具有双通道设计,适用于多种电子应用。以下是一些潜在的应用领域:
1. 电源开关:AO4614-VB可用于电源开关应用,支持高效的电源管理和开关控制,适用于各种电源模块和电源开关器件。
2. 电机驱动:该MOSFET适合用于电机控制电路,支持电机的高性能控制,包括直流电机和步进电机。
3. 电池管理:在电池管理系统中,AO4614-VB可用于电池保护、充放电管理和电池均衡控制,适用于便携式设备和电动车辆。
4. 电源逆变器:在电源逆变器中,它可以用于将直流电源转换为交流电源,适用于太阳能逆变器和UPS系统。
5. LED驱动:该MOSFET可用于LED照明驱动电路,支持LED灯的高效控制和亮度调节。
总之,AO4614-VB是一款多功能的N+P沟道MOSFET晶体管,适用于多种高功率、高电压应用,提供卓越的性能和可靠性。它在电源管理、电机控制、电池管理、逆变器和LED驱动等领域具有广泛的应用。