型号：AO4443-VB
丝印：VBA2412
品牌：VBsemi
参数：
- P沟道 MOSFET
- 额定电压：-40V
- 最大持续电流：-11A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：13mΩ @ 10V, 17mΩ @ 4.5V
- 门源极电压 (Vgs)：最大±20V
- 阈值电压 (Vth)：-1.7V
封装：SOP8

详细参数说明：
AO4443-VB是一款P沟道MOSFET，专为低电压、高电流应用而设计。它的额定电压为-40V，可以持续承受高达-11A的电流。该MOSFET具有卓越的导通特性，其静态导通电阻在10V电压下为13mΩ，而在4.5V电压下为17mΩ。这低的电阻有助于减小功耗和热量，使其适用于需要高效能耗的应用。

AO4443-VB的门源极电压（Vgs）范围广泛，最大可达±20V，具有良好的控制特性。其阈值电压（Vth）为-1.7V，可在不同应用中实现精确的