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AM30N06-39D-T1-PF-VB一个N沟道TO252封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
**HUF76423P3-VB**

**丝印:** VBM1638

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- **封装:** TO220
- **类型:** N—Channel沟道
- **电压:** 60V
- **电流:** 50A
- **导通电阻:** RDS(ON)=24mΩ@VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压:** Vth=1.8V

**应用简介:**
HUF76423P3-VB是一款TO220封装的N—Channel沟道场效应晶体管。其低导通电阻、高电流承受能力以及适中的阈值电压使其在各种电源和功率控制应用中具有广泛的应用前景。

**领域模块及作用:**
1. **电源模块:** 用于电源开关和调节,通过其低导通电阻和高电流特性,实现高效能的电源供应。

2. **电机驱动模块:** 适用于电机控制,可通过高电流承受能力和低导通电阻提供高效的电机驱动。

3. **功率放大器模块:** 可作为功率放大器的输出级驱动,确保在高电流条件下维持低导通电阻,提供高质量的音频输出。

**使用注意事项:**
- 严格遵循最大额定电压和电流,以防止器件过载损坏。

- 确保正确的散热设计,以保持器件在正常工作温度范围内。

- 注意阈值电压,确保在设计中考虑到正确的门极电压。

- 在使用过程中避免静电放电,采取适当的防护措施。

- 根据应用的需要,采取适当的过压和过流保护措施,以提高系统的可靠性。

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