型号: 5N60-TO220F-VB

丝印: VBMB165R04

品牌: VBsemi

参数:
- 封装类型: TO220F
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 650V
- 最大电流: 4A
- 开态电阻: RDS(ON) = 2560mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 3.8V

封装: TO220F

**详细参数说明:**
1. **封装类型 (Package Type):** TO220F，表明该器件使用TO220F封装。
2. **沟道类型 (Channel Type):** N-Channel，指示这是一个N沟道MOSFET。
3. **额定电压 (Rated Voltage):** 650V，说明器件能够正常工作的最大电压。
4. **最大电流 (Maximum Current):** 4A，表示器件能够承受的最大电流。
5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 2560mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，说明在特定的栅源电压下，开态时的电阻。
6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = 3.8V，表示在栅源电压作用下，器件从关态切换到开态所需的电压。

**应用简介:**
5N60-TO220F-VB是一款高压N-Channel MOSFET，适用于多种应用领域，包括但不限于：
1. **电源开关:** 由于其高电压和N沟道性质，可用于高压电源开关和电源逆变器。
2. **电源逆变器:** 用于高压太阳能逆变器和其他高压电源逆变器，提供高效的能量转换。
3. **电源管理模块:** 适用于需要高电压的电源管理应用，如开关电源、电池管理等。
4. **照明系统:** 用于驱动高压LED和其他照明设备。

请注意，在具体设计中应仔细参考该器件的数据手册以及应用手册，以确保正确的使用和性能。