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4800AGM-VB一个N沟道SOP8封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号: 4800AGM-VB
丝印: VBA1311
品牌: VBsemi
参数:
- 沟道类型: N沟道
- 额定电压: 30V
- 最大电流: 12A
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 12mΩ @ 10V
- 静态导通电阻 (RDS(ON)): 15mΩ @ 4.5V
- 门源电压 (Vgs): ±20V
- 阈值电压 (Vth): 0.8V 至 2.5V
- 封装: SOP8

应用简介:
4800AGM-VB是一种N沟道场效应晶体管 (FET),适用于多种电子设备和应用领域,具有以下主要应用:

1. **电源开关:** 4800AGM-VB可用作电源开关,用于控制电路中的电流流动。它的低导通电阻和N沟道特性使其在开关应用中非常有效。

2. **电子开关:** 适用于各种电子开关应用,如电源分配单元、开关电路和电源管理模块。

3. **电流控制:** 可以用于电流控制电路,例如电流限制器和电流源。

4. **电源管理:** 可以用于电源管理模块,帮助控制电源的开关和稳定输出电压。

5. **电池保护:** 在锂电池保护电路中,4800AGM-VB可用于实现电池的充电和放电控制,确保电池的安全运行。

这些应用领域涵盖了各种电子设备和模块,包括电源管理模块、电流控制模块、电子开关、负载切换器和电池保护电路。4800AGM-VB的特点使其成为用于控制电流和电压的重要元件,特别是在电源管理和电流控制方面。

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