型号：2SK2963-VB
丝印：VBI1101M
品牌：VBsemi
参数：
- 封装：SOT89-3
- 沟道类型：N—Channel沟道
- 额定电压：100V
- 最大电流：3.1A
- 开态电阻（RDS(ON)）：126mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：1.7V

应用简介：
2SK2963-VB是VBsemi推出的一款SOT89-3封装的N—Channel沟道功率MOSFET。具有100V的额定电压和最大3.1A的电流承受能力，以及在VGS为10V和VGS为20V时的低开态电阻（RDS(ON)）为126mΩ，具备卓越的性能特点。阈值电压（Vth）为1.7V，适用于多种应用场景。

详细参数说明：
1. **封装类型：** SOT89-3
2. **沟道类型：** N—Channel沟道
3. **额定电压：** 100V
4. **最大电流：** 3.1A
5. **开态电阻（RDS(ON)）：** 126mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
6. **阈值电压（Vth）：** 1.7V

应用领域：
2SK2963-VB适用于以下领域的模块：
1. **电源开关：** 由于其N—Channel沟道类型和适中的额定电压，适用于电源开关模块，能够实现高效的电路切换。
2. **LED驱动：** 在LED驱动模块中，可用于控制LED的电流，具备较低的开态电阻。
3. **电源逆变器：** 用于电源逆变器模块，通过高电压和电流承受能力，实现有效的电能转换。

使用注意事项：
- 在设计中请确保适当的散热措施，以维持器件在正常工作温度范围内。
- 请按照数据手册提供的最大额定值使用，以防止过载损坏。
- 注意阈值电压（Vth）的范围，确保在实际应用中选择适当的驱动电压。

以上是2SK2963-VB的详细参数说明和应用简介，同时提供了使用注意事项，该产品在电源开关、LED驱动和电源逆变器等领域有着广泛的应用潜力。