型号：2SK2857-VB

**丝印：** VBI1695

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 类型：N沟道
- 额定电压（Vds）：60V
- 最大电流（Id）：5A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：76mΩ @ 10V, 88mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：1~3V
- 封装：SOT89-3

**产品简介：**
2SK2857-VB是VBsemi生产的N沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于各种电子应用。该器件具有中等电流和电压特性，适用于需要中等功率和电流控制的电路。

**主要特点：**
- 中等电流和电压：适用于中等电流和电压负载，具有合适的性能。
- 低导通电阻：具有低的静态漏极-源极电阻（RDS(ON)），有助于减少功耗和提高效率。
- 阈值电压范围：可适应不同的电路控制需求，具有较宽的阈值电压范围。
- SOT89-3封装：小巧的SOT89-3封装适合紧凑的电路设计。

**应用领域：**
2SK2857-VB通常用于以下领域和模块：

1. **低功耗电子设备：** 由于其中等电流和电压特性，它常被用于低功耗电子设备，如便携式设备、传感器和小型电源管理。

2. **信号开关：** 在信号开关电路中，例如在模拟和数字电路中的开关电路，以实现信号的切换和控制。

3. **电源管理：** 2SK2857-VB可以用于电源管理模块，例如电池充电、电源选择和低功耗待机模式。

4. **音频放大器：** 在低至中等功率音频放大器电路中，它可以用于增强音频信号的放大性能。

需要注意的是，具体的应用领域可能会因产品用途、电路设计和规格要求而有所不同。在选择和使用这种型号时，建议根据具体应用的电气特性和性能要求来确定其适用性。这款器件适合需要中等功率和电流控制的应用。