型号：2SK2615-VB
丝印：VBI1695
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：60V
- 最大连续电流：5A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：76mΩ @ 10V, 88mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：1~3V
- 封装类型：SOT89-3

应用简介：
2SK2615-VB是一款N沟道MOSFET，适用于低功率、低电压应用和需要高效电能控制的电路。以下是一些可能的应用领域：

1. 低电压电源管理：2SK2615-VB适用于低电压电源管理，如便携式设备、智能传感器、电池供电的设备等，以提供高效的电能控制和延长电池寿命。

2. 电机驱动：适用于小型电机控制，如电动工具、风扇、电动玩具等，以改善能耗效率。

3. LED驱动：用于LED照明控制，包括LED灯、照明模块和显示屏等。

4. 便携式电子设备：可用于各种便携式电子设备，如音频播放器、电子书阅读器、手持式游戏机等，以提高电池续航时间和系统效率。

5. 消费电子产品：适用于各种消费电子产品，如智能家居设备、电视机顶盒、遥控器等。

总之，2SK2615-VB MOSFET适用于低功率、低电压应用领域，其高效的电能控制特性使其在各种电子模块和电路中得到广泛应用，以提高能效和延长电池寿命。