型号：2SJ485-VB
丝印：VBE2610N
品牌：VBsemi
参数说明：
- 沟道类型：P沟道
- 额定电压：-60V
- 最大电流：-38A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：61mΩ@10V, 72mΩ@4.5V
- 门源极电压（±Vgs）：20V
- 门源极阈值电压（Vth）：-1.3V
- 封装类型：TO252

应用简介：
2SJ485-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），具有高电压承受能力和高电流承受能力，低漏极-源极电阻以及稳定的门源极阈值电压。这些特性使其在多种电子领域的模块中有广泛的应用。

应用领域：
1. 电源模块：2SJ485-VB可用于中至高功率的电源开关模块，以提供电能转换和电压调节功能。适用于各种电子设备、通信设备和工业设备。

2. 电机控制：在电机控制模块中，它可以用于电机驱动和电流控制，适用于电动汽车、机器人和工业自动化。

3. 电源逆变器：它还可以用于逆变器电路，将直流电源转换为交流电源，适用于太阳能逆变器、电动汽车逆变器和UPS系统。

4. 高电流开关：2SJ485-VB可用于高电流开关模块，如电源分配、电流保护和开关控制。

总之，2SJ485-VB是一种高性能P沟道MOSFET，适用于多个领域的电子模块，提供电源管理、电流控制、信号放大和逆变功能。