型号：2SJ360-VB

丝印：VBI2658

品牌：VBsemi

封装：SOT89-3

**详细参数说明：**
- **沟道类型（Channel Type）：** P—Channel
- **最大漏电流（Maximum Drain Current）：** -5A
- **最大漏电压（Maximum Drain-Source Voltage）：** -60V
- **导通电阻（On-Resistance）：** RDS(ON)=58mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压（Gate Threshold Voltage）：** Vth=1~3V

**应用简介：**
2SJ360-VB是一款P—Channel沟道场效应晶体管，具有低漏电流、高漏电压、低导通电阻等优异特性。其封装采用SOT89-3标准封装，适用于各种电子应用。

**主要应用领域模块：**
1. **功率放大器模块：** 由于2SJ360-VB具有较高的漏电压和低导通电阻，适用于功率放大器模块，能够提供可靠的功率放大功能。

2. **电源管理模块：** 该器件的P—Channel特性使其在电源管理模块中表现出色，特别是在负载开关和电源开关应用中。

3. **电流控制模块：** 由于其较高的漏电流和低导通电阻，可用于电流控制模块，确保在电路中实现精准的电流控制。

4. **低噪声放大器模块：** 2SJ360-VB的优异性能使其在低噪声放大器模块中具有潜在的应用，特别是在要求高信噪比的场合。

请注意，具体的应用取决于系统设计的需求，确保根据电路设计和规格要求选择合适的元件。