型号：2SJ210-T1B-A-VB
丝印：VB264K
品牌：VBsemi
参数：
- 封装类型：SOT23
- 沟道类型：P—Channel
- 最大漏电压（Vds）：-60V
- 最大漏极电流（Id）：-0.5A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：-1.87V

封装：SOT23

应用简介：
2SJ210-T1B-A-VB是一款P-Channel沟道MOSFET，适用于多种电路和模块设计，特别是在需要P-Channel MOSFET的低功耗和一些特定应用中。

领域模块应用：
1. **低功耗模块：** 由于其较低的漏极电流和较高的漏极-源极电阻，适用于低功耗模块设计，如便携式电子设备、传感器节点等。

2. **电源开关模块：** 适用于电源开关电路设计，能够提供可靠的功率开关和电源控制功能。

3. **放大器输出级：** 在放大器输出级电路中，2SJ210-T1B-A-VB可以用于实现高性能P-Channel MOSFET的放大和驱动功能。

4. **电流源模块：** 由于其低漏电流特性，可用于电流源电路设计，如电流源、电流放大器等。

5. **模拟开关电路：** 适用于一些需要模拟开关功能的电路设计，如模拟开关、模拟开关电源等。

请注意，以上是一些典型的应用场景，实际使用时需根据具体电路和系统要求进行选择和设计。在集成2SJ210-T1B-A-VB时，建议仔细阅读其数据手册以获取详细的电特性和操作信息。