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25P03LG-VB一个P沟道TO252封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:25P03LG-VB
丝印:VBE2338
品牌:VBsemi
参数:
- P沟道
- 最大耐压:-30V
- 最大漏电流:-26A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):33mΩ @ 10V, 46mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):-1.3V
- 封装:TO252

应用简介:
25P03LG-VB是一款P沟道场效应晶体管,适用于多种功率控制和开关电路应用。其低导通电阻和耐压特性使其适用于高功率电子系统。

领域模块应用:
1. 电源管理模块:25P03LG-VB可用于高功率开关电源、稳压器等电源管理模块,以提供有效的功率控制。
2. 电机驱动模块:在电机控制和驱动电路中,这种晶体管可用于提供电机所需的高电流。
3. 高功率开关模块:适用于高功率开关模块,如电焊设备、高功率LED驱动器等。

这些特性使25P03LG-VB在高功率电子系统中具有广泛的应用。

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