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15N10 TO252-VB一个N沟道TO252封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:15N10 TO252-VB
丝印:VBE1101M
品牌:VBsemi

详细参数说明:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:100V
- 额定电流:18A
- 静态电阻:115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V
- 门源极电压:±20V
- 阈值电压:1.6V
- 包装类型:TO252

应用简介:
15N10 TO252-VB MOSFET适用于需要高电压和高电流的应用。它常用于功率放大、开关、逆变器等领域的电路模块。

这些产品可以用在以下领域模块上:
1. 功率放大器模块:由于15N10 TO252-VB具有较高的额定电流和电压,它可以用于放大和驱动高功率信号的功率放大器模块。
2. 开关模块:15N10 TO252-VB的高电流和低电阻特性使其成为开关模块中的理想选择,能够在开关电路中高效地切换高功率负载。
3. 逆变器模块:由于具有较高的额定电压和电流能力,15N10 TO252-VB可用于逆变器模块,将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能逆变器、电动车充电器等领域。

总之,15N10 TO252-VB MOSFET适用于需要高电压和高电流驱动的领域模块,如功率放大器、开关和逆变器模块。

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