发展历程

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发展历程

2003
公司成立
2011
能够完整制造平面和沟槽工艺的MOS
2015
完成超结MOSFET的研发并量产
2017
完成IGBT生产工艺并进行量产
2020
认定为国家级高新技术企业
2022
完成SiC MOS生产工艺并量产
2024
推出全新高功率SGT MOS并量产

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